据新华社长沙11月26日电（记者阳建）我国自主研制的首批8英寸IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片模块，近日在昆明地铁车辆段完成段内调试并稳定运行1万公里。这标志着我国已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。

  此次试运行的IGBT模块，由中国南车株洲研究所旗下南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在该公司研制和生产。这也拉开了国产8英寸IGBT芯片应用于轨道交通领域的序幕。

  与微电子技术中芯片技术（通常所说的CPU）一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平，主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。

  据中国工程院院士、南车株洲所总经理丁荣军介绍，如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。同时，中国自主研发的高功率等级的IGBT对涉及国家经济安全、国防安全等战略性产业至关重要。